工程名稱： 創維半導體設計大廈幕墻工程

　　工程地點： 深圳市南山高新區南區[2007-003-0101]地塊

　　工程類別： 企業總部

　　建筑高度： 110 m

　　幕墻面積： 47000 ㎡

　　主要幕墻類型：單元式玻璃幕墻、框架玻璃幕墻、裙樓‘喇叭口’及采光頂

　　創維半導體設計中心位于深圳高新南區高新南四道與科技南十路交接西北角，占地17025.5平方米，建筑面積851128平方米，項目總投資91076萬元。項目內容涵蓋：視頻芯片的設計與驗證、多媒體芯片的設計與驗證、伴音功率放大器芯片的設計與驗證、LED芯片設計、LED背光模組的設計及中試、OLED顯示技術等。